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Samsung Ssd 9100 Pro 4tb Pcie 5.0 (nvme) R14800/w13400 Mb
Samsung
10-MZ-VAP4T0BW
Esgotado
876,94 €
Com IVA
Samsung MZ-VAP4T0. Capacidade da drive SSD: 4 TB, Fator de forma SSD: M.2, Velocidade de leitura: 14800 MB/s, Velocidade de escrita: 13400 MB/s, Componente para: PC/Laptop
O Samsung MZ-VAP4T0BW é um SSD de alta performance com uma capacidade generosa de 4 TB, projetado para maximizar a velocidade e a eficiência em sistemas modernos. Com um formato compacto M.2, este SSD é ideal para integrar em PCs e laptops, onde o espaço é um fator crucial. A interface PCIe 5.0 NVMe proporciona velocidades de leitura sequencial de até 14800 MB/s e velocidades de escrita sequencial de até 13400 MB/s, garantindo tempos de carregamento rápidos e desempenho fluido em aplicações exigentes.
A tecnologia V-NAND TLC (Triple Level Cell) utilizada no MZ-VAP4T0BW oferece uma excelente relação entre capacidade e custo, enquanto a encriptação de hardware de 256-bit AES protege os seus dados de acesso não autorizado. O suporte a S.M.A.R.T. e TRIM garante a saúde e a longevidade do disco. O SSD inclui suporte para 2200000 IOPS em leitura aleatória (4KB) e 2600000 IOPS em escrita aleatória (4KB), assegurando um desempenho rápido mesmo em operações de acesso aleatório. A unidade tem um tempo médio entre falhas (MTBF) de 1.500.000 horas.
Dimensões: 80,2mm x 2,38mm x 22,1mm; Peso: 9g; Temperatura de operação: 0°C a 70°C; Voltagem: 3,3V; Consumo de energia (leitura): 9W; Consumo de energia (escrita): 8,2W.
Especificações do SSD:
- Capacidade: 4 TB
- Formato: M.2
- Interface: PCIe 5.0 NVMe
- Velocidade de Leitura: 14800 MB/s
- Velocidade de Escrita: 13400 MB/s
- Tipo de Memória: V-NAND TLC
- Encriptação: 256-bit AES
Informações Adicionais:
- Marca: Samsung
- Modelo: MZ-VAP4T0BW
- MPN: MZ-VAP4T0BW
- EAN: 8806095811703
- Compatibilidade: PC/Portátil
A tecnologia V-NAND TLC (Triple Level Cell) utilizada no MZ-VAP4T0BW oferece uma excelente relação entre capacidade e custo, enquanto a encriptação de hardware de 256-bit AES protege os seus dados de acesso não autorizado. O suporte a S.M.A.R.T. e TRIM garante a saúde e a longevidade do disco. O SSD inclui suporte para 2200000 IOPS em leitura aleatória (4KB) e 2600000 IOPS em escrita aleatória (4KB), assegurando um desempenho rápido mesmo em operações de acesso aleatório. A unidade tem um tempo médio entre falhas (MTBF) de 1.500.000 horas.
Dimensões: 80,2mm x 2,38mm x 22,1mm; Peso: 9g; Temperatura de operação: 0°C a 70°C; Voltagem: 3,3V; Consumo de energia (leitura): 9W; Consumo de energia (escrita): 8,2W.
Especificações do SSD:
- Capacidade: 4 TB
- Formato: M.2
- Interface: PCIe 5.0 NVMe
- Velocidade de Leitura: 14800 MB/s
- Velocidade de Escrita: 13400 MB/s
- Tipo de Memória: V-NAND TLC
- Encriptação: 256-bit AES
Informações Adicionais:
- Marca: Samsung
- Modelo: MZ-VAP4T0BW
- MPN: MZ-VAP4T0BW
- EAN: 8806095811703
- Compatibilidade: PC/Portátil
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