SSD Samsung 9100 Pro 4 TB M.2 PCIe 5.0 NVMe V-NAND TLC com dissipador de calor

O Samsung MZ-VAP4T0 é um SSD de alta performance com capacidade de 4 TB, ideal para utilizadores que exigem velocidades de transferência ultrarrápidas. Este dispositivo utiliza a interface PCI Express 5.0 e a tecnologia NVMe, permitindo velocidades de leitura sequencial de até 14800 MB/s e velocidades de escrita sequencial de até 13400 MB/s. A sua memória V-NAND TLC garante uma excelente fiabilidade e durabilidade. O factor de forma M.2 facilita a instalação em computadores e consolas de jogos. O SSD inclui um dissipador de calor para melhorar a gestão térmica e o desempenho sustentável, mesmo sob cargas elevadas.

Em termos de segurança, o Samsung MZ-VAP4T0 integra criptografia de hardware de 256 bits AES, protegendo os seus dados contra acessos não autorizados. Além das velocidades sequenciais, as velocidades aleatórias de leitura e escrita também são impressionantes: 2200000 IOPS e 2600000 IOPS, respectivamente, para operações de 4KB. Este nível de performance contribui para uma experiência de utilização significativamente mais rápida e responsiva.

Outras características importantes incluem: um tempo médio entre falhas (MTBF) de 1500000 horas, suporte S.M.A.R.T. e suporte TRIM para otimizar o desempenho ao longo do tempo. As dimensões físicas são de 80,2 mm de largura, 8,88 mm de profundidade e 25 mm de altura, com um peso de 30g (valor possivelmente do modelo com dissipador). O consumo de energia, na leitura, é de 9W e na escrita de 8,2W, indicando uma eficiência energética razoável. A faixa de temperatura operacional situa-se entre 0 e 70 °C, garantindo um funcionamento estável em diversas condições. Este modelo (MZ-VAP4T0CW) inclui um dissipador de calor.


Especificações Principais:
- Capacidade: 4 TB
- Interface: PCI Express 5.0 NVMe
- Factor de Forma: M.2 2280
- Velocidade de Leitura: 14800 MB/s
- Velocidade de Escrita: 13400 MB/s

Características Técnicas:
- Tipo de Memória: V-NAND TLC
- Criptografia: 256-bit AES
- Leitura Aleatória (4KB): 2200000 IOPS
- Escrita Aleatória (4KB): 2600000 IOPS
- MTBF: 1500000 h
- SMART: Sim
- TRIM: Sim
- Dimensões (aprox.): 80,2 x 8,88 x 25 mm
- Peso (aprox.): 30 g
- Tensão de Operação: 3,3 V
- Consumo de Energia (Leitura): 9 W
- Consumo de Energia (Escrita): 8,2 W
- Temperatura Operacional: 0 - 70 °C
- Dissipador de Calor: Sim
- EAN: 8806095811659