Disco SSD Goodram IRDM Pro Slim 2TB PCIe Gen4 x4 NVMe - Alta Velocidade, M.2, 3D TLC NAND

O Goodram IRP-SSDPR-P44S-2K0-8 é uma unidade de estado sólido M.2 de 2 TB com interface PCI Express 4.0 e tecnologia 3D TLC NAND NVMe. Este SSD destaca-se pelas suas elevadas velocidades de leitura e escrita, tornando-o ideal para aplicações que exigem alto desempenho, como jogos, edição de vídeo e outras tarefas intensivas.

**Características principais:**

* **Capacidade:** 2 TB - espaço de armazenamento amplo para os seus ficheiros.
* **Interface:** PCI Express 4.0 x4 NVMe - garante velocidades de transferência ultrarrápidas.
* **Tecnologia:** 3D TLC NAND - oferece uma excelente relação entre desempenho, durabilidade e custo.
* **Velocidade de Leitura:** 7000 MB/s - carregamento rápido de aplicações e acesso imediato aos seus dados.
* **Velocidade de Escrita:** 6800 MB/s - gravação rápida de ficheiros e instalação de jogos em segundos.
* **Formato:** M.2 2280 - compatível com a maioria dos computadores portáteis e desktops modernos.
* **ECC:** Sim - correcção de erros para garantir a integridade dos dados.
* **Tempo médio entre falhas (MTBF):** 200000 horas - alta fiabilidade e durabilidade.
* **Classificação TBW:** 1400 - indica a quantidade total de dados que podem ser escritos ao longo da vida útil do SSD.

**Especificações técnicas:**

* Versão NVMe: 1.4
* Factor de forma: M.2 2280 (22 x 80 mm)
* Leitura aleatória (4KB): 650000 IOPS
* Escrita aleatória (4KB): 700000 IOPS
* Intervalo de temperatura operativa: 0 - 70 °C
* Intervalo de temperatura de armazenamento: -40 - 85 °C
* Dimensões: 20 mm (L) x 80 mm (P) x 1 mm (A)
* Peso: Leve

Este SSD é uma excelente opção para quem procura um upgrade de armazenamento rápido, fiável e eficiente. A sua alta velocidade e capacidade tornam-no perfeito para gamers, criadores de conteúdo e qualquer utilizador que valoriza o desempenho.


Características do SSD:
- Capacidade SSD: 2 TB
- Interface: PCIe Gen 4.0 x4 NVMe
- Formato: M.2 2280
- Velocidade de Leitura: 7000 MB/s
- Velocidade de Escrita: 6800 MB/s
- ECC: Sim
- Tecnologia de Memória: 3D TLC NAND