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Transistor NPN de silício Samsung 2SD288, ideal para amplificadores de baixa frequência. Oferece alta potência e encapsulamento TO-220.
* Tipo: NPN
* Vceo: 55V
* Ic: 2A
* Potência: 20W
* Encapsulamento: TO-220
* Tipo: NPN
* Vceo: 55V
* Ic: 2A
* Potência: 20W
* Encapsulamento: TO-220
O transistor NPN de silício Samsung 2SD288 é uma solução robusta para amplificadores de baixa frequência. Com uma tensão máxima de coletor-emissor (Vceo) de 55V e uma corrente de coletor máxima (Ic) de 2A, este transistor consegue lidar com potências significativas, até 20W. O seu encapsulamento TO-220 garante uma boa dissipação de calor. Este transistor apresenta um ganho (HFE) de 40 e uma frequência de transição de 75MHz. É fornecido a granel em embalagens de 100 unidades. Para mais informações sobre as características e aplicações deste transistor, consulte a documentação do fabricante.
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