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            Transistor RF PNP de silício da Philips, ideal para aplicações em osciladores, conversores, misturadores e amplificadores de RF.  Oferece alta performance com 35V Vceo, 50mA Ic e 300mW de potência. Caixa TO-226.
* Transistor RF PNP em silício
* Vceo: 35V
* Ic: 50mA
* Potência: 300mW
* Caixa: TO-226
                    
                    
                    * Transistor RF PNP em silício
* Vceo: 35V
* Ic: 50mA
* Potência: 300mW
* Caixa: TO-226
Este transistor RF PNP de silício da Philips é uma solução eficiente e robusta para aplicações em alta frequência.  Projetado para uso em osciladores, conversores, misturadores e amplificadores de RF, este componente oferece um desempenho superior em diversas aplicações.  Com uma tensão Vceo de 35V e uma corrente Ic de 50mA, este transistor suporta uma potência de 300mW, garantindo fiabilidade em condições de operação exigentes.  A sua caixa TO-226 facilita a integração em circuitos existentes.  O ganho HFE de 25 e a frequência de 450MHz demonstram a sua capacidade de lidar com sinais de alta frequência com precisão.  A sua construção em silício garante um desempenho consistente e duradouro, tornando-o ideal para projetos de eletrónica de precisão. Este transistor é uma excelente opção para projetos de RF que exigem alta performance, confiabilidade e facilidade de integração.
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